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高纯锗 谱仪技术指标

作者:寻人启事 ⁄ 时间:2012年12月17日 ⁄ 分类: 网络新闻 评论:0

  高纯锗 谱仪技术指标

  探测器:

  晶体类型: P型高纯锗,同轴型

  探测效率: 35%

  能量响应范围: 40 Kev – 10 Mev

  能量分辨率: 对1.332 Mev峰(60Co):? 1.85 Kev

  对 122 Kev峰(102Cd):? 0.85 Kev

  峰康比: 62:1

   峰形参数: FW0.1M/FWHM ? 1.9,FW0.2M/FWHM ? 2.6

   晶体管恢复型前置放大器:用于高计数率测量 (选购件)

   冷指结构: 垂直,30升杜瓦 (选购件:低本底型冷指)

   铅室: 厚度10 cm,老铅,内衬衫Cu, Cd, …), 内腔调-

  28 cm X 40 cm. (选购件)

  谱仪电子学 - DSPe-Plus 数字谱仪:

  最大数据通过率 > 130,000 cps

  高压:0 - ?5000连续可调,辐射仪并带探测器回温时高压自动切断功能

  系统增益: 0.35至100,由计算机连续可调,最小增益步为1/85,000

  粗调增益: 由计算机选定为1,2,5,10,20,50或100

  细调增益: 由计算机设定为0.35至1.00

   成形时间常数:

  上升/下降时间:有115个上升与下降时间,范围从0.2至23 ?s可调,

  每步0.2?s,由计算机选择

  平顶:有22挡平顶时间,范围从0.3至2.4?s,每步0.1?s,由计算机选

  择

  尖锐度参数:有7个不同值,由计算机选定(用于调节上升于下 降时

  间的弧度)

  存储器分段:由计算机选择为16,384,8192,4096,2048,1024或512道

  系统变换增益:可适应所有类型的高纯锗探测器

  线性:

  积分非线性 〈?0.025%(谱高端的99.5%,用从55Fe的5.9KeV到88Y

  的1836KeV范围内的混合源测定)

  微分非线形 ??1%(用BNC公司的脉冲产生器及斜波产生器测定)

  温度系数

  增益:<50ppm/?C ?典型值 30ppm/?C ?

  零点:<10 ppm/C,对总增益大于5 0的输入而言,且上升下降时间为

  16s,平顶时间1.2s(相当于模拟系统的6s成形时间)

  过载恢复:在最大增益时,能在2.5倍的非过载脉冲宽度内从1000倍过载恢复至额定输出的2%以内(用Insight虚拟示波器测定)

  脉冲抗堆积:自动设定域值。脉冲对的分辨率为500ns。

  自动极零:由计算机控制,可以手动或自动设定。

  LLD:数字或下域电平甄别器,以道为单位设置。LLD以下面所有各道的计数截然被卡掉。

   数据存储器:16,384道不丢失数据存储器,辐射检测仪每道容量为231-1(20亿)计数。

   预置:

  统计:允许设置为某一关键峰的统计精度(如在已知强度的60Co活度

  已测得好于5%时停止计数)

  实时/活时:以秒为单位

  感兴趣区:峰内净计数

  峰内总计数(最高可设为232-1(40亿)计数)

  数据溢出:任何一道的计数超出231-1时停止计数

  死时间校正:Gedcke-Hale 法, 精度 – 参考峰面积变化 <+ 3% ( 0 – 50,000 cps), 或

  ZDT(零死时间)无丢失计数校正。它特别适用于在数据获取期间计数率变化的场合, 如中子活化分析

  数字化稳谱器:

  零点校正- 最小调节量 0.1 道(16,384道时)

  增益校正- 0.00025%

  联系方式

  公司:中国辐射防护研究院 www.zhongfuyuan.org

  地址:山西省太原市学府街102号120信箱

  联系人:张文涛

  邮编:030006

  手机:13994243235

  电话:0351-2202243

  传真:0351-2202381

  EMail:[email protected]

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